Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD18N20_L2_00001
200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD18N20
PJD18N20_L2_00001 Hakkında
PJD18N20_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 18A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. 160mΩ on-state direnç değeri ile verimli güç aktarımı sağlar. TO-252 DPak paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. SMPS (Switch Mode Power Supply), DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve endüstriyel kontrol devreleri gibi yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 24nC gate charge ve 1017pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1017 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok