Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJD16P06A_L2_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
PJD16P06A

PJD16P06A_L2_00001 Hakkında

PJD16P06A_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 16A drain akımı (Tc) ile çalışabilir ve 48mOhm RDS(on) değerine sahiptir. ±20V Vgs aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile 150°C arasında güvenli işletim sunar. Gate charge 22nC ve input capacitance 1256pF değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük on-resistance özelliği sayesinde power switching, motor kontrolü, load switching ve analog switch uygulamalarında tercih edilir. Surface mount teknolojisi ile PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta), 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1256 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package TO-252
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok