Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD16N06A_L2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD16N06A
PJD16N06A_L2_00001 Hakkında
PJD16N06A_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu FET, 16A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine ve 50mOhm maksimum Rds(on) değerine sahiptir. 4.5V ile 10V arasında drive voltajında çalışabilen transistör, 27W güç dağıtımı sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş işletme sıcaklık aralığında kullanılabilir. Düşük gate charge (14nC @ 10V) ve kompakt SMD yapısı sayesinde anahtarlama uygulamalarında, güç yönetim devrelerinde ve hızlı anahtarlama gerektiren endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Ta), 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 815 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok