Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJD15P06A_L2_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
PJD15P06A

PJD15P06A_L2_00001 Hakkında

PJD15P06A_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) SMD pakette sunulan bu bileşen, 4A sürekli drenaj akımı (Ta) veya 15A (Tc) ile çalışabilir. 68mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 17nC ve input capacitance 879pF özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışabilir. DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta), 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 879 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 7.5A, 10V
Supplier Device Package TO-252
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok