Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD14P10A_L2_00001
100V P-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD14P10A
PJD14P10A_L2_00001 Hakkında
PJD14P10A_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 100V P-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu FET, 2.5A sürekli dren akımı (Ta) ve 14A dren akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. Rds(on) değeri 140mOhm'dur ve maksimum 2W (Ta) / 60W (Tc) güç tüketebilir. ±20V Vgs voltajına dayanıklı olup, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 40.7nC gate charge ve 2298pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta), 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2298 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok