Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD14P06A_L2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD14P06A
PJD14P06A_L2_00001 Hakkında
PJD14P06A_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 3.2A sürekli dren akımı ve 110mOhm maksimum RDS(on) değerleri ile anahtarlama ve güç kontrol uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen komponent, düşük gate şarjı (10nC) ve minimal giriş kapasitanslı (785pF) yapısı sayesinde hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur. Güç kaynağı kontrol devreleri, yüksüz anahtarları, motor sürücüleri ve ters kutuplama koruması uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta), 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 785 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok