Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD14P06A-AU_L2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD14P06A
PJD14P06A-AU_L2_000A1 Hakkında
PJD14P06A-AU_L2_000A1, PANJIT tarafından üretilen 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 3.2A sürekli drenaj akımı (Ta) kapasitesine sahip olup, maksimum 110mOhm On-direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. ±20V Vgs dayanımı ve 2.5V eşik gerilimi ile geniş uygulama alanına sahiptir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, hız kontrol uygulamaları ve gerilim regülatör tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. 10nC gate şarjı ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta), 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 785 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok