Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD13N10A_L2_00001
100V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD13N10A
PJD13N10A_L2_00001 Hakkında
PJD13N10A_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 100V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 2.9A (Ta) / 13A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 115mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 20nC @ 10V olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ~ +150°C çalışma sıcaklık aralığı ve 41W (Tc) maksimum güç dağılımı ile güç dönüştürme, motor kontrolü, LED sürücüleri ve güç anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. Vgs(th) 2.5V @ 250µA ile endüstriyel ve tüketici elektronikleri tasarımlarında tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Ta), 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1413 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok