Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD12P06_L2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD12P06
PJD12P06_L2_00001 Hakkında
PJD12P06_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 2.6A (Ta) / 12A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olup, 155mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. 10.9nC kapı yükü ve 385pF giriş kapasitansı, hızlı anahtarlama özelliklerini gösterir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama regülatörleri, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüleri ve yük kontrolü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta), 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 385 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok