Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD12P06-AU_L2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD12P06
PJD12P06-AU_L2_000A1 Hakkında
PJD12P06-AU_L2_000A1, PANJIT tarafından üretilen 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. Surface mount TO-252 (DPak) pakette sunulan bu bileşen, 2.6A sürekli drenaj akımı ve 155mΩ (10V, 6A'da) RDS(on) değeri ile özellikle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V gate voltaj aralığı ve -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı, güç yönetimi, motor sürücüleri ve düşük voltaj anahtarlama devrelerinde tercih edilmesini sağlar. 50W güç dağıtımı kapasitesi (Tc'de) ile load switch ve solenoid kontrol gibi uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta), 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 385 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok