Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD11N06A-AU_L2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD11N06A
PJD11N06A-AU_L2_000A1 Hakkında
PJD11N06A-AU_L2_000A1, PANJIT tarafından üretilen 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) koruma paketinde sunulan bu yarı iletken, düşük gate charge ve minimal Rds(on) değerleriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3.7A (Ta) / 11A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesiyle güç yönetimi, DC-DC konvertörler, motor sürücüler ve anahtarlama regülatörlerinde yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığı, geniş sıcaklık ortamlarında kullanımı mümkün kılar. 75mΩ maksimum Rds(on) değeri enerji verimini artırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Ta), 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 509 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok