Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD10P10A_L2_00001
100V P-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD10P10A
PJD10P10A_L2_00001 Hakkında
PANJIT PJD10P10A_L2_00001, 100V çalışma gerilimi ile tasarlanmış P-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 2A sürekli drenaj akımı (Ta 25°C'de) ve 10A (Tc'de) kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 210mOhm (10V, 5A) düşük gate-source direnci sayesinde çabuk komütasyon sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C), anahtarlama devreleri, güç yönetimi, AC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta), 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1419 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok