Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD10N10_L2_00001
100V N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD10N10
PJD10N10_L2_00001 Hakkında
PJD10N10_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 100V N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 2.6A sürekli dren akımı ve 34.7W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 130mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC konvertörleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 10V gate sürücü voltajında optimal performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta), 34.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 707 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 34.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok