Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJD100P03_L2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJD100P03
PJD100P03_L2_00001 Hakkında
PJD100P03_L2_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET'tir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 15.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 4.5mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Gate charge değeri 107nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç yönetimi, motorlu uygulamalar, anahtarlama regülatörleri ve yük denetimi gibi elektronik devrelerde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.8A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 107 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6067 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok