Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJC7002H_R1_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJC7002H
PJC7002H_R1_00001 Hakkında
PJC7002H_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. SC-70/SOT-323 paketinde sunulan bu transistör, 250mA continuous drain akımı ve 5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük impedans uygulamalarında kullanılır. ±20V gate-source voltaj aralığı ve 1.3nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve pil yönetim sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Düşük güç tüketimi ve kompakt yapısı ile mobil cihazlar ve IoT uygulamalarında da yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 22 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 300mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok