Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJA3476_R1_00001

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PJA3476

PJA3476_R1_00001 Hakkında

PJA3476_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. 300mA sürekli drain akımı ve 6Ohm maksimum RDS(on) değeri ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-236-3 (SOT-23) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 500mW güç tüketebilir. 1.8nC gate charge ve 45pF input capacitance ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 300mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok