Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJA3472B_R1_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PJA3472B

PJA3472B_R1_00001 Hakkında

PJA3472B_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 300mA sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, 3Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate eşik gerilimi 2.5V olup, ±30V maksimum gate-source gerilimi aralığında çalışır. 500mW güç dağıtım kapasitesi ve -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığı ile düşük güç uygulamaları, anahtarlama devreleri ve yük kontrolü gibi alanlarda kullanılır. SOT-23-3 (SC-59) paketi sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun surface mount bileşenidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.82 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 34 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 600mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok