Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJA3435_R1_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PJA3435

PJA3435_R1_00001 Hakkında

PJA3435_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. SOT-23 paketinde sunulan bu bileşen, 500mA sürekli dren akımı kapasitesine ve 1.2Ω RDS(on) direncine sahiptir. Gate charge değeri 1.4nC olup, giriş kapasitansi 38pF'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışan transistör, maksimum 500mW güç tüketebilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, load switching ve küçük sinyal kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±10V gate gerilim aralığında güvenli çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 38 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok