Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJA3431_R1_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PJA3431

PJA3431_R1_00001 Hakkında

PJA3431_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. Sürekli drenaj akımı 1.5A olan bu bileşen, 20V Drain-Source gerilimi ile çalışır ve maksimum 325mOhm on-resistance değerine sahiptir. SOT-23-3 paketinde sunulan bu yüzey montajlı transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate Charge değeri 1.7nC ve Input Capacitance 165pF'dir. 1.25W güç disipasyonu kapasitesine sahip olan bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük akımlı kontrol uygulamalarında kullanılır. ±8V maksimum Gate-Source gerilimi ile çalışan bu MOSFET, kompakt tasarımlar ve taşınabilir cihazlarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 165 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 325mOhm @ 1.5A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok