Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJA3419_R1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJA3419
PJA3419_R1_00001 Hakkında
PJA3419_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 4A sürekli drain akımı kapasitesi ve 60mOhm RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kaybı sağlayan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. TO-236-3 (SOT-23) SMD paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 1.25W maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlarda tercih edilir ve pratik endüstriyel uygulamalarda yer bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.9 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 602 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok