Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJA3416AE_R1_00001

SOT-23, MOSFET

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PJA3416AE

PJA3416AE_R1_00001 Hakkında

PJA3416AE_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 20V drain-source voltajında 6.5A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 22mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. 4.5V gate voltajında optimize edilen cihaz, anahtarlama uygulamalarında, DC/DC dönüştürücülerde, güç yönetimi devrelerinde ve mobil cihazlar ile tüketici elektroniği ürünlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve 1.25W güç dağıtım kapasitesi ile kompakt tasarımlara uygun bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 836 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok