Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJA3412-AU_R2_000A1

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
PJA3412

PJA3412-AU_R2_000A1 Hakkında

PJA3412-AU_R2_000A1, PANJIT üretimi N-channel enhancement mode MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim, 4.1A sürekli drain akımı kapasitesi ile gerilim kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 56mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında, ±12V gate gerilim toleransı ile çeşitli endüstriyel ve tüketici elektroniği devrelerine uygun durumdadır. SOT-23 koruma paketinde sunulan bileşen, düşük güç uygulamalarında ve kompakt tasarımlarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 4.1A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok