Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJ2301_R1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJ2301
PJ2301_R1_00001 Hakkında
PANJIT PJ2301, 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bu bileşen, 3.1A sürekli drenaj akımı ve 100mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaynaktan iletimi sağlar. Gate kapasitansi 416pF ve gate yükü 5.4nC olarak belirtilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, enerji verimliliği gerektiren portable cihazlar ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 1.25W güç dağılımı kapasitesi ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 416 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok