Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHX9NQ20T,127
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220F
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHX9NQ20T
PHX9NQ20T,127 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen PHX9NQ20T,127, N-channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 5.2A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarına uygun olarak tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır. 10V gate drive voltajında 400mOhm maksimum RDS(on) direnci ve 25W güç disipasyonu kapasitesi ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Komponentin ürün durumu obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 959 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok