Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PHX8NQ11T,127

MOSFET N-CH 110V 7.5A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
PHX8NQ11T

PHX8NQ11T,127 Hakkında

PHX8NQ11T,127 NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 110V drain-source gerilimi ve 7.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 180mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 27.7W maksimum güç yayılım kapasitesi sayesinde orta güç uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans sunar. Anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç dönüştürücüler ve genel amaçlı DC anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 110 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 27.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TO-220F
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok