Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PHX45NQ11T,127

MOSFET N-CH 110V 30.4A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
PHX45NQ11T

PHX45NQ11T,127 Hakkında

NXP Semiconductors tarafından üretilen PHX45NQ11T,127, N-Channel MOSFET transistördür. 110V drain-source gerilimi ve 30.4A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 25mΩ'luk maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetim devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. ±20V gate gerilimi aralığında çalışır ve -55°C ile 150°C arasında güvenilir performans gösterir. Through-hole montaj türü ile PCB'lere doğrudan entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 110 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package TO-220F
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok