Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PHX27NQ11T,127

MOSFET N-CH 110V 20.8A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
PHX27NQ11T

PHX27NQ11T,127 Hakkında

NXP Semiconductors tarafından üretilen PHX27NQ11T,127, N-Channel MOSFET transistördür. 110V drain-source gerilimi ve 20.8A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 50mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. TO-220-3 gövdesi ile montaj kolaylığı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, motor kontrolü, güç kaynakları, inverter devreleri ve anahtarlamalı güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 50W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile ısıl tasarımda dikkate alınmalıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 110 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1240 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package TO-220F
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok