Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PHX23NQ10T,127

MOSFET N-CH 100V 13A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
PHX23NQ10T

PHX23NQ10T,127 Hakkında

NXP Semiconductors tarafından üretilen PHX23NQ10T,127, N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 13A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 Full Pack, İzole Tab paketlemesiyle sunulan bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında, güç kaynağı tasarımlarında, motor kontrol devrelerinde ve endüstriyel elektronik uygulamalarında kullanılır. 70mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 22nC gate charge özelliğiyle verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Günümüzde artık üretilmese de, mevcut stoklar uygulamalara entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1187 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package TO-220F
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok