Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHX18NQ11T,127
MOSFET N-CH 110V 12.5A TO220F
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHX18NQ11T
PHX18NQ11T,127 Hakkında
PHX18NQ11T,127, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 110V drain-source gerilimi (Vdss) ve 12.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde izole sekmeyle sağlanan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında yer alır. 90mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimliliği artırır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 31.2W güç dağılım kapasitesine sahiptir. Cihazın durumu obsolete (kullanımdan kaldırılmış) olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 110 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 635 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 31.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok