Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHW80NQ10T,127
MOSFET N-CH 100V 80A TO247-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHW80NQ10T
PHW80NQ10T,127 Hakkında
PHW80NQ10T,127, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ve 80A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 15mOhm maksimum on-state direnci ile enerji verimliliğini destekler. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 263W güç dissipasyonuna dayanır. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Hızlı anahtarlama özelliği ile 109nC gate charge değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 109 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4720 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 263W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok