Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PHU66NQ03LT,127

MOSFET N-CH 25V 66A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
PHU66NQ03LT

PHU66NQ03LT,127 Hakkında

PHU66NQ03LT,127, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 66A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 10.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel uygulamalarda transistör anahtarlaması gereken devrelerde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup 93W güç tüketebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 66A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok