Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHU11NQ10T,127
MOSFET N-CH 100V 10.9A IPAK
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHU11NQ10T
PHU11NQ10T,127 Hakkında
PHU11NQ10T,127, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 10.9A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 180mOhm on-state direncine (Rds On) sahip olan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü ve anahtar uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 14.7nC kapı yükü ve 360pF giriş kapasitansi özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. Maksimum 57.7W güç tüketimi derecesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 57.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok