Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PHU108NQ03LT,127

MOSFET N-CH 25V 75A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
PHU108NQ03LT

PHU108NQ03LT,127 Hakkında

PHU108NQ03LT,127, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 75A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 6mOhm maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri, LED aydınlatma kontrol sistemleri ve voltaj regülatörü uygulamalarında yer alır. -55°C ile +175°C arasında çalışan bileşen, 187W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Gate charge değeri 16.3nC olup, hızlı anahtarlama özelliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1375 pF @ 12 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok