Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PHU101NQ03LT,127

MOSFET N-CH 30V 75A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
PHU101NQ03LT

PHU101NQ03LT,127 Hakkında

NXP Semiconductors tarafından üretilen PHU101NQ03LT,127, 30V drain-source geriliminde 75A sürekli akım kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance karakteristiğiyle (5.5mΩ @ 10V, 25A) güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve yüksek akım anahtarlama devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, maksimum 166W güç tüketebilir. Gate başlatma gerilimi 2.5V (@1mA) olup, ±20V gate gerilimi ile kontrol edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2180 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok