Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PHT8N06LT,135

MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
PHT8N06LT

PHT8N06LT,135 Hakkında

PHT8N06LT,135, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilim kapasitesi ve 3.5A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 80mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahip bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen SOT223 (SC-73) paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol sistemleri, motor kontrol devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. 5V gate sürüş gerilimi ile standart lojik seviyeleri ile uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 5A, 5V
Supplier Device Package SC-73
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±13V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok