Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHT6NQ10T,135
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHT6NQ10T
PHT6NQ10T,135 Hakkında
PHT6NQ10T,135, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj ve 3A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. SOT223 yüzey montajlı paketlemesi ile kompakt tasarımlara uygun olan bu bileşen, 90mΩ maksimum on-resistance değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. -65°C ile 150°C arasında çalışabilen bu FET, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor sürücüleri ve doğru akım dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. 21nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 633 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok