Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PHT6N06T,135

MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
PHT6N06T

PHT6N06T,135 Hakkında

PHT6N06T,135, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source voltaj dayanımı ve 5.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 150mΩ maksimum on-direnç (Rds On @ 5A, 10V) sayesinde düşük enerji kaybı sağlar. 10V drive voltajında 5.6nC gate charge değerine sahiptir. Surface Mount paketleme ile kompakt devre tasarımlarına uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrol, LED sürücü ve analog switch uygulamalarında tercih edilir. Ürün obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 175 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package SC-73
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok