Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHT4NQ10T,135
MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHT4NQ10T
PHT4NQ10T,135 Hakkında
Nexperia tarafından üretilen PHT4NQ10T,135, N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 3.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 250mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük konuş kaybı sağlar. SOT223 yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygundur. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak uygulanır. -65°C ile 150°C arasında çalışabilir. Ürün üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 6.9W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1.75A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok