Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHT4NQ10LT,135
MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHT4NQ10LT
PHT4NQ10LT,135 Hakkında
PHT4NQ10LT,135, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilim (Vdss) ile tasarlanmış olup, 3.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 5V gate drive voltajında 250mOhm maksimum on-resistance (Rds On) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. TO-261-4 (SOT223) paket tipinde surface mount uygulamalarına uygundur. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahip olup, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Gate charge 5V'de 12.2nC, input capacitance 25V'de 374pF olarak belirtilmiştir. Maksimum 6.9W güç disipasyonu kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.2 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 374 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 6.9W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1.75A, 5V |
| Supplier Device Package | SC-73 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok