Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHT2NQ10T,135
MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHT2NQ10T
PHT2NQ10T,135 Hakkında
PHT2NQ10T,135, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 2.5A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. SOT223 (SC-73) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate-source geriliminde 430mΩ on-state direnç değerine sahiptir. -65°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, güç elektronikleri, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri ve genel amaçlı DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 6.25W güç saçma kapasitesi ve düşük gate charge değeri (5.1nC @ 10V) ile hızlı komütasyon operasyonlarına uygundur. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 160 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 1.75A, 10V |
| Supplier Device Package | SC-73 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok