Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PHT11N06LT,135

MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
PHT11N06LT

PHT11N06LT,135 Hakkında

PHT11N06LT,135, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi (Vdss) ve 4.9A sürekli drain akımı (Id) ile şarj kontrol devreleri, motor sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 40mOhm tipik on-state direnci (Rds On) düşük güç kaybı sağlar. 5V gate sürüş gerilimi ile standart lojik devreleriyle doğrudan uyumludur. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve SOT223 (SC-73) yüzeye monte paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 5A, 5V
Supplier Device Package SC-73
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±13V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok