Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHK12NQ03LT,518-NEX
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHK12NQ03LT
PHK12NQ03LT,518-NEX Hakkında
PHK12NQ03LT, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source geriliminde 11.8A sürekli drain akımı sağlayan bu power FET, 10.5mΩ maksimum RDS(on) direncine sahiptir. 4.5V-10V sürüş gerilimi aralığında çalışan bileşen, 2.5W güç saçışına dayanabilir. Surface mount 8-SO paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sunar. Yüksek akım anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.8A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.6 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1335 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok