Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHD9NQ20T,118
MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHD9NQ20T
PHD9NQ20T,118 Hakkında
PHD9NQ20T,118, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 8.7A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponentin Rds(on) değeri 10V gate geriliminde 400mΩ'dur. 24nC gate charge ve 959pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan ve 88W güç tüketebilen bu transistör, güç kaynakları, motor kontrolü, solenoid sürücüleri ve yüksek gerilim anahtar uygulamalarında tercih edilir. ±30V maksimum gate gerilimi ile güvenli bir çalışma alanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 959 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 88W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok