Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHD82NQ03LT,118
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHD82NQ03LT
PHD82NQ03LT,118 Hakkında
PHD82NQ03LT, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source geriliminde 75A sürekli dren akımı sağlayabilir ve 136W güç yayınlama kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 8mOhm maximum on-resistance (Rds On) değeri ile düşük dirençli çalışma özellikleri sunmaktadır. TO-252-3 (DPak) paketinde surface mount olarak üretilen bu bileşen, -55°C ile +175°C arasında işletme sıcaklığında kullanılabilir. Yüksek akım uygulamaları, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanım için tasarlanmıştır. Part status olarak artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.7 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1620 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok