Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PHD37N06LT,118

MOSFET N-CH 55V 37A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
PHD37N06LT

PHD37N06LT,118 Hakkında

PHD37N06LT,118, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V Drain-Source gerilimi ve 37A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında anahtarlama görevini üstlenir. 32mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-252 (DPAK) yüzey montaj paketi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uyumludur. Motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlamalı güç kaynakları ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında güvenli şekilde çalışabilir ve 100W'a kadar güç dağılımı yapabilir. Gate şarj miktarı 22.5nC olup hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 37A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±13V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok