Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PHD36N03LT,118

MOSFET N-CH 30V 43.4A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
PHD36N03LT

PHD36N03LT,118 Hakkında

PHD36N03LT,118, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Vdss ile 43.4A sürekli drenaj akımını destekleyen bu bileşen, düşük 17mOhm (10V, 25A'da) on-resistance değerine sahiptir. TO-252 (DPak) Surface Mount paketlemesiyle tasarlanmış olup, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 57.6W güç disipasyonu kapasitesi ve 18.5nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama ve verimli enerji yönetimi sağlar. Bileşen şu anda kullanımdan kaldırılmış (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 43.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 690 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 57.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok