Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHD34NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHD34NQ10T
PHD34NQ10T,118 Hakkında
PHD34NQ10T,118, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V dren-kaynak gerilimi ve 35A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 40mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, motorlu kontrol sistemleri, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak görev yapar. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Gate şarj değeri 40nC olup hızlı anahtarlama gerektiren devreler için uygun bir seçimdir. Bileşen şu anda kullanım dışı (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1704 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok