Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHD3055E,118
MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHD3055E
PHD3055E,118 Hakkında
PHD3055E,118, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ve 10.3A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 150mΩ on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. TO-252-3 (DPAK) yüzey montaj paketi ile derece başına 33W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Lojik seviye gate kontrolü için optimize edilmiştir. Ürün şu anda üretim dışıdır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok