Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHD20N06T,118
MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHD20N06T
PHD20N06T,118 Hakkında
PHD20N06T,118, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 77mOhm maksimum Ron değeri ile düşük kayıp uygulamaları destekler. TO-252 (DPAK) paket tipi sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun montaj sağlar. ±20V gate gerilimi aralığında çalışır ve -55°C ile 175°C arasında işletme sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları ve yük kontrolü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 422 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 51W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok