Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHD16N03T,118
MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHD16N03T
PHD16N03T,118 Hakkında
PHD16N03T,118, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 13.1A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. DPAK (TO-252-3) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 100mΩ maksimum RDS(ON) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen transistör, güç yönetimi, LED sürücüleri, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 32.6W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile orta güç uygulamaları için uygundur. Ürün üretimden kaldırılmış (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 32.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok